[发明专利]使用应力缓冲器封装集成电路装置的方法在审
| 申请号： | 201610860303.X | 申请日： | 2016-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN106960801A | 公开（公告）日： | 2017-07-18 |
| 发明（设计）人： | 纳瓦斯·坎·奥拉提卡兰达尔;阿希莱什·库马尔·辛格;尼尚特·拉赫拉 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L23/29;H01L23/31 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种制造多个半导体装置的方法包括将多个集成电路(IC)管芯附着到基板上，所述附着包括在所述IC管芯上的接点和所述基板上的接点之间形成电连接。在将所述IC管芯附着到所述基板上之后，将第一包封材料放置在所述IC管芯的应力敏感区域上方。所述第一包封材料包括30％或小于30％的大于指定大小的填充物颗粒。将第二包封材料放置在所述第一包封材料上方。所述第二包封材料包括60％或大于60％的填充物颗粒。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 应力 缓冲器 封装 集成电路 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制作多个封装集成电路装置的方法，其特征在于，包括：将具有大于0.1和小于3吉帕斯卡(GPa)的弹性模数的第一材料层直接放置在集成电路组件矩阵和基板的第一主表面的暴露部分上方，所述第一主表面的暴露部分上安装有所述集成电路组件；将具有大于15和小于50GPa的弹性模数的第二材料层放置在所述第一材料层上方以包封所述集成电路组件；以及单分所述基板以形成所述多个封装集成电路装置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
