[发明专利]阵列基板及其制造方法、OLED结构有效
| 申请号： | 201610865955.2 | 申请日： | 2016-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN107887328B | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 孟哲宇 | 申请（专利权）人： | 昆山国显光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12;H01L27/32 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 215300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种阵列基板及其制造方法、OLED结构。在本发明提供的阵列基板及其制造方法、OLED结构中，通过使得电容结构的第一电极层和第二电极层为多孔石墨烯材质，增大了电容密度，减小电容区面积，便于增大布线空间，能够更好地实现高PPI；通过使得第二电极层和栅极金属层构成双栅结构，降低了漏电流，有利于提高阵列基板的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 及其 制造 方法 oled 结构 | ||
【主权项】：
一种阵列基板的制造方法，包括：提供一基底；在所述基底上依次形成第一电极层、第一介质层和第二电极层，获得电容结构，所述第一电极层和第二电极层均由多孔石墨烯制成；以及在所述第二电极层上依次形成第二介质层、多晶硅层、第三介质层及栅极金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
