[发明专利]集成电路记忆体及其操作方法

摘要

一种集成电路记忆体及其操作方法。记忆体包含多个记忆胞，记忆胞的每一者包含第一场效晶体管与第二场效晶体管。第一场效晶体管包含至少一栅电介层及至少一栅电极层，至少一栅电极层用以接收并施加电信号于栅电介层，使第一场效晶体管的第一区域和第二区域的电信号在第三区域传递。第二场效晶体管包含至少一栅电介层及至少一栅电极层，至少一栅电极层用以接收并施加电信号于栅电介层，使第二场效晶体管的第一区域和第二区域的电信号在第三区域传递。通过施加电信号于第二场效晶体管的栅电介层，使得栅电介层的电导态由高电导态转变为低电导态，而使栅电介层的电导态进行转态，栅电介层的高电导态和低电导态分别表示该记忆胞的两个不同的储存状态。

主权项

一种集成电路记忆体，其特征在于，包含：多个记忆胞，所述多个记忆胞中的每一者连接于至少一条解码线或至少一条接地线，且所述多个记忆胞的每一者包含：一第一场效晶体管，包含：一第一区域、一第二区域及一第三区域，其中该第三区域连接于该第一区域与该第二区域；至少一栅电介层，配置于该第三区域上；以及至少一栅电极层，用以接收并施加电信号于该栅电介层，以使该第一区域和该第二区域的电信号在该第三区域进行传递；以及一第二场效晶体管，包含：一第一区域、一第二区域及一第三区域，其中该第三区域连接于该第一区域与该第二区域；至少一栅电介层，配置于该第三区域上；以及至少一栅电极层，用以接收并施加电信号于该栅电介层，以使该第一区域和该第二区域的电信号在该第三区域进行传递；其中通过施加电信号于该第二场效晶体管的该栅电介层，使得该栅电介层的电导态由高电导态转变为低电导态，且无法再度通过施加电信号于该第二场效晶体管的该栅电介层，而使该栅电介层的电导态进行转态，其中该栅电介层的高电导态和低电导态是分别表示该记忆胞的两个不同的储存状态。