[发明专利]半导体存储器件及其操作方法有效
| 申请号： | 201610878449.7 | 申请日： | 2016-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN107305785B | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | 徐智贤 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/30 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 李少丹;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文提供了一种半导体存储器件及其操作方法。半导体存储器件可以包括：存储单元阵列、外围电路和控制逻辑。存储单元阵列可以包括分组为多个页的存储单元。外围电路可以执行用于多个页的编程操作。控制逻辑可以控制外围电路，以通过施加逐步地增加第一步进电压的编程电压至多个页中的选中页，以及通过施加逐步地增加第二步进电压的通过电压至多个页中的未选中页，来执行编程操作。第二步进电压可以根据未选中页的存储单元在存储单元阵列中的位置来改变。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器件，包括：存储单元阵列，包括分组为多个页的存储单元；外围电路，被配置成执行用于所述多个页的编程操作；以及控制逻辑，被配置成控制外围电路，以通过将逐步地增加第一步进电压的编程电压施加至所述多个页中的选中页，以及通过将逐步地增加第二步进电压的通过电压施加至所述多个页中的未选中页，来执行编程操作，第二步进电压根据未选中页的存储单元在存储单元阵列中的位置来改变。
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