[发明专利]半导体工艺模拟装置及方法以及计算装置有效
| 申请号： | 201610878494.2 | 申请日： | 2016-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN106599336B | 公开（公告）日： | 2021-12-28 |
| 发明（设计）人： | 张诚桓;金成瞮;都支星;李元锡 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩明星;刘灿强 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种半导体工艺模拟装置、一种半导体工艺模拟方法和一种执行半导体工艺模拟的计算装置。所述半导体工艺模拟方法包括：基于退火模拟将半导体工艺模拟划分成多个块；执行与从多个块中选择的块对应的形状模拟；以及基于与选择的块对应的形状模拟的结果数据，并行地执行与选择的块对应的多个离子注入模拟中的至少两个离子注入模拟。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 工艺 模拟 装置 方法 以及 计算 | ||
【主权项】：
一种半导体工艺模拟方法，所述半导体工艺模拟方法包括：基于退火模拟，将半导体工艺模拟划分成多个块；执行与从所述多个块中选择的块对应的形状模拟；以及基于与选择的块对应的形状模拟的结果数据，并行地执行与选择的块对应的多个离子注入模拟中的至少两个离子注入模拟。
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