[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201610879028.6 | 申请日： | 2016-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN107068565B | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 金局泰;孙豪成;申东石;沈铉准;李周利;张星旭 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 张帆;崔卿虎 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件和一种制造半导体器件的方法。可在衬底上形成伪栅电极层和伪栅极掩模层。可将伪栅极掩模层图案化以形成伪栅极掩模，从而暴露出伪栅电极层的一部分。可通过倾斜离子注入将离子注入伪栅电极层的暴露部分中以及伪栅电极层的与伪栅电极层的暴露部分邻近的一部分中，以在伪栅电极层中形成生长阻挡层。可利用伪栅极掩模作为蚀刻掩模对伪栅电极层进行蚀刻，以形成伪栅电极。可在包括伪栅电极和伪栅极掩模的伪栅极结构的侧表面上形成间隔件。可执行选择性外延生长工艺，以形成外延层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
