[发明专利]半导体结构及其制造方法

摘要

本发明提供了一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括：基板、导电层、绝缘层、包含第一存储器结构群及第二存储器结构群的存储器结构、隔离沟槽，以及共同源极沟槽。导电层与绝缘层交替堆叠于基板上。各第一存储器结构群包括第一存储器结构，各第二存储器结构群包括第二存储器结构。第一存储器结构及第二存储器结构贯穿导电层及绝缘层。各隔离沟槽形成于第一存储器结构群及第二存储器结构群之间。隔离沟槽以具有间隙的不连续方式水平横越基板。共同源极沟槽形成于基板上并平行于隔离沟槽延伸。

主权项

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：一基板；多个导电层及多个绝缘层形成于该基板上，其中该些导电层与该些绝缘层交替堆叠于该基板上；一结构，包括一组第一存储器结构群及一组第二存储器结构群形成于该基板上并穿过该些导电层及该些绝缘层，各该第一存储器结构群包括多个第一存储器结构，各该第一存储器结构具有一第一剖面形状，各该第二存储器结构群包括多个第二存储器结构，各该第二存储器结构具有一第二剖面形状，该第一剖面形状及该第二剖面形状互补；以及多个隔离沟槽，形成于该基板上，各该隔离沟槽设置于一该第一存储器结构群及一该第二存储器结构群之间，使得相邻的该些隔离沟槽以沿着该相邻的该些隔离沟槽的一轴向的一间隙分隔；其中各该第一存储器结构群具有一水平C型剖面，其中各该第一存储器结构群各自与一该第二存储器结构群相对于一该隔离沟槽两侧对称，且其中各该第二存储器结构群具有一水平C型剖面，其中各该第二存储器结构群各自与一该第一存储器结构群相对于一该隔离沟槽两侧对称。