[发明专利]集成芯片及其形成方法在审
| 申请号： | 201610884100.4 | 申请日： | 2016-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN107017231A | 公开（公告）日： | 2017-08-04 |
| 发明（设计）人： | 吴伟成;连瑞宗;王羽榛;朱芳兰;林宏达;张谷宁 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有用于识别集成芯片上的测试线的测试线字母同时避免高k金属栅极工艺的污染的衬底，以及形成方法。在一些实施例中，公开了一种集成芯片。集成芯片具有半导体衬底。在半导体衬底上方布置测试线字母。测试线字母包括从半导体衬底向外突出的字母数字字符形状的正型突出物。在半导体衬底上方布置一个或多个伪结构。一个或多个伪结构靠近测试线字母的边界。本发明的实施例还提供了形成集成芯片的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 芯片 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种集成芯片，包括：半导体衬底；测试线字母，布置在所述半导体衬底上方，其中，所述测试线字母包括从所述半导体衬底向外突出的字母数字字符形状的正型突出物；以及一个或多个伪结构，布置在所述半导体衬底上方且靠近所述测试线字母的边界。
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