[发明专利]形成图案化结构的方法

摘要

本发明公开一种形成图案化结构的方法，包括下列步骤。首先，在材料层上形成一硬掩模层之后，再进行第一蚀刻制作工艺与第二蚀刻制作工艺，用以分别于硬掩模层中形成彼此部分重叠的第一开口与第二开口。利用具有第一开口与第二开口的硬掩模层，对材料层进行第三蚀刻制作工艺，并于第三蚀刻制作工艺之后对位于材料层之下的介电层以及硬掩模层进行一第四蚀刻制作工艺，掩模层的材料与介电层的材料相同，故第四蚀刻制作工艺可用以将硬掩模层移除并于介电层中形成一沟槽。

主权项

1.一种形成图案化结构的方法，包括：/n在一基底上依序形成一介电层与一材料层；/n在该材料层上形成一硬掩模层，其中该硬掩模层的材料与该介电层的材料相同；/n在该硬掩模层上形成一第一图案化掩模，并利用该第一图案化掩模进行一第一蚀刻制作工艺，以于该硬掩模层中形成至少一第一开口，其中该第一开口至少部分暴露出该材料层；/n在该第一蚀刻制作工艺之后，将该第一图案化掩模移除，并于该硬掩模层上形成一第二图案化掩模，且利用该第二图案化掩模进行一第二蚀刻制作工艺，以于该硬掩模层中形成至少一第二开口，其中该第二开口至少部分暴露出该材料层，且该第一开口与该第二开口部分重叠；/n以具有该第一开口与该第二开口的该硬掩模层为掩模，对该材料层进行一第三蚀刻制作工艺，用以移除该第一开口与该第二开口所暴露的该材料层；以及/n在该第三蚀刻制作工艺之后，对该介电层以及该硬掩模层进行一第四蚀刻制作工艺，用以将该硬掩模层移除并于该介电层中形成一沟槽,/n所述方法还包括于该材料层与该介电层之间形成一阻障层，其中于该第三蚀刻制作工艺之后以及该第四蚀刻制作工艺之前，该介电层被该阻障层所覆盖，其中所述阻障层的厚度小于所述材料层的厚度。/n