[发明专利]半导体结构的形成方法有效
| 申请号： | 201610885872.X | 申请日： | 2016-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN107919285B | 公开（公告）日： | 2020-03-10 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成伪栅极结构，所述伪栅极结构包括位于所述衬底上的伪栅介质层以及位于所述伪栅介质层上的伪栅极；在所述衬底上形成介质层，所述介质层覆盖所述伪栅极结构侧壁，并暴露出所述伪栅极顶部表面；去除部分厚度的伪栅极，在所述介质层中形成开口和伪栅极层，所述开口底部暴露出所述伪栅极层表面；在所述开口中形成保护层；之后，对所述介质层进行离子注入；离子注入之后，去除所述保护层。所述保护层能够在离子注入过程中保护所述伪栅极层，避免在所述伪栅极层中注入离子，从而能够减少栅介质层上残留的伪栅极层材料，因此，所述形成方法能够改善半导体结构性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成伪栅极结构，所述伪栅极结构包括位于所述衬底上的伪栅介质层以及位于所述伪栅介质层上的伪栅极；在所述衬底上形成介质层，所述介质层覆盖所述伪栅极结构侧壁，并暴露出所述伪栅极顶部表面；去除部分厚度的伪栅极，在所述介质层中形成开口和伪栅极层，所述开口底部暴露出所述伪栅极层表面；在所述开口中形成保护层；形成所述保护层之后，对所述介质层进行离子注入；离子注入之后，去除所述保护层；去除所述保护层之后，去除所述伪栅极层和所述伪栅介质层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
