[发明专利]半导体装置有效

专利信息
申请号: 201610890269.0 申请日: 2012-08-22
公开(公告)号: CN106887437B 公开(公告)日: 2020-10-02
发明(设计)人: 小山润 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 叶晓勇;姜甜
地址: 日本神奈*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种包括具有相同极性晶体管的半导体装置功耗低且能够防止输出的电位的幅度变小。该半导体装置,包括:具有第一电位的第一布线;具有第二电位的第二布线;具有第三电位的第三布线;具有相同极性的第一晶体管及第二晶体管;以及用来选择是对第一晶体管及第二晶体管的栅极供应第一电位还是对第一晶体管及第二晶体管的栅极供应第三电位以及用来选择是否对第一晶体管及第二晶体管的漏极端子供应一个电位的多个第三晶体管。第一晶体管的源极端子与第二布线连接,并且第二晶体管的源极端子与第三布线连接。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
一种半导体装置,包括:第一布线,被供应第一电位;第二布线,被供应第二电位;具有相同极性的第一晶体管和第二晶体管;以及多个第三晶体管,用于控制对所述第一晶体管的栅极和所述第二晶体管的栅极供应所述第二电位,其中,所述第一晶体管的源极端子连接到所述第一布线,以及所述第二晶体管的源极端子连接到所述第二布线。
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