[发明专利]蚀刻液组合物、显示装置用阵列基板及其制造方法有效
申请号: | 201610895002.0 | 申请日: | 2016-10-13 |
公开(公告)号: | CN106835138B | 公开(公告)日: | 2019-02-19 |
发明(设计)人: | 金童基;权五柄;金镇成;梁圭亨;金炼卓 | 申请(专利权)人: | 东友精细化工有限公司 |
主分类号: | C23F1/18 | 分类号: | C23F1/18;H01L21/768 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 钟晶;陈彦 |
地址: | 韩国全*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明涉及蚀刻液组合物、显示装置用阵列基板及其制造方法,更详细而言,涉及以一定含量包含过氧化氢、氟化合物、5‑甲基‑1H‑四唑、一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物、三磷酸钠和/或焦硫酸盐、多元醇型表面活性剂、和水的铜系金属膜用蚀刻液组合物,利用上述蚀刻液组合物的显示装置用阵列基板及其制造方法。 | ||
搜索关键词: | 蚀刻 组合 显示装置 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种显示装置用阵列基板的制造方法,其特征在于,包括:a)在基板上形成栅极配线的步骤;b)在包含所述栅极配线的基板上形成栅极绝缘层的步骤;c)在所述栅极绝缘层上形成半导体层的步骤;d)在所述半导体层上形成源极和漏极电极的步骤;及e)形成与所述漏极电极连接的像素电极的步骤,所述a)步骤包括在基板上形成铜系金属膜并以铜系金属膜用蚀刻液组合物蚀刻所述铜系金属膜而形成栅极配线的步骤,所述d)步骤包括在半导体层上形成铜系金属膜并以铜系金属膜用蚀刻液组合物蚀刻所述铜系金属膜而形成源极和漏极电极的步骤,所述铜系金属膜用蚀刻液组合物相对于组合物总重量包含(A)过氧化氢15至26重量%、(B)氟化合物0.01至3重量%、(C)5‑甲基‑1H‑四唑0.05至3重量%、(D)一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物0.5至5重量%、(E)选自三磷酸钠和焦硫酸盐中的一种以上盐化合物0.1至5重量%、(F)多元醇型表面活性剂1至5重量%、和(G)余量的水,所述焦硫酸盐是选自焦硫酸钾和焦硫酸钠中的一种以上。
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