[发明专利]一种Nand Flash坏块管理方法、装置及存储器有效
| 申请号： | 201610903249.2 | 申请日： | 2016-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN106649137B | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | 杨艺;刘虹;兰海洋;王耀辉 | 申请（专利权）人： | 凌云光技术集团有限责任公司 |
| 主分类号： | G06F12/06 | 分类号： | G06F12/06 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 逯长明;许伟群 |
| 地址： | 100094 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明是关于一种Nand Flash坏块管理方法、装置及存储器，该坏块管理方法，通过在FPGA模块内建立与Nand Flash模块中的块数目相同的随机存取存储器RAM，并将每个RAM的地址分别作为Nand Flash模块中每个块的块地址，然后，将检测得到的Nand Flash模块中的每个块的块状态存储在相应地址的RAM，这样，便可以根据各RAM的地址以及RAM中存储的块状态数据，进行相应的读写操作。本发明实施例将RAM的地址作为NAND flash模块中各块的块地址，从而节省了RAM存储块地址占用的空间，并且RAM地址只需用一个计数器来表示，不占用FPGA模块的存储空间，进而节省了FPGA模块的内部资源。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 nand flash 管理 方法 装置 存储器 | ||
【主权项】：
一种Nand Flash坏块管理方法，其特征在于，包括：建立与Nand Flash模块中的块数目相同的随机存取存储器RAM；将每个所述RAM的地址分别作为所述Nand Flash模块中每个块的块地址；对所述Nand Flash模块进行块状态检测，得到所述Nand Flash模块中的每个块的块状态；分别将所述每个块的块状态存储在相应地址的RAM中。
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