[发明专利]蚀刻方法有效
申请号: | 201610913373.7 | 申请日: | 2016-10-20 |
公开(公告)号: | CN107968045B | 公开(公告)日: | 2020-11-10 |
发明(设计)人: | 冯立伟;王嫈乔;林裕杰;蔡综颖;何建廷 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开一种蚀刻方法,包括下列步骤。首先,提供一基底,基底上定义有第一区以及与第一区相邻的第二区。于基底上形成一材料层,并于材料层上形成一图案化掩模。图案化掩模包括一第一部与一第二部。第一部覆盖位于第一区的材料层。第二部对应第二区,且第二部包括一格状结构。格状结构包括多个开口与多个遮蔽部。各开口暴露出的位于第二区的材料层。各遮蔽部位于相邻的开口之间,且各遮蔽部覆盖的位于第二区的材料层。进行一等向性蚀刻,用以移除被开口所暴露的材料层以及被遮蔽部所覆盖的材料层。 | ||
搜索关键词: | 蚀刻 方法 | ||
【主权项】:
一种蚀刻方法,包括:提供一基底,该基底上定义有一第一区以及与该第一区相邻的一第二区;于该基底上形成一材料层;于该材料层上形成一图案化掩模,其中该图案化掩模包括:第一部,覆盖位于该第一区的该材料层;以及第二部,对应该第二区,其中该第二部包括一格状结构,该格状结构包括:多个开口,其中各该开口暴露出的位于该第二区的该材料层;以及多个遮蔽部,其中各该遮蔽部位于相邻的该多个开口之间,且各该遮蔽部覆盖的位于该第二区的该材料层;以及进行一等向性蚀刻,用以移除被该多个开口所暴露的该材料层以及被该多个遮蔽部所覆盖的该材料层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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