[发明专利]半导体器件以及形成场效应晶体管的方法有效
| 申请号： | 201610916200.0 | 申请日： | 2016-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN106935649B | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 杨育佳;卡洛斯·H·迪亚兹;王志豪;叶凌彦;孙元成 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 半导体器件包括具有第一半导体材料的鳍。鳍包括源极/漏极(S/D)区域和沟道区域。S/D区域提供顶面和两个侧壁表面。S/D区域的宽度小于沟道区域的宽度。半导体器件还包括在S/D区域上方且具有掺杂的第二半导体材料的半导体膜。半导体膜提供分别地基本上平行于S/D区域的顶面和两个侧壁表面的顶面和两个侧壁表面。半导体器件还包括半导体膜的顶面和两个侧壁表面上方的且用于与S/D区域电通信的金属接触件。本发明的实施例还涉及形成场效应晶体管的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 以及 形成 场效应 晶体管 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：鳍，具有第一半导体材料，所述鳍具有源极/漏极(S/D)区域和沟道区域，所述源极/漏极区域提供顶面和两个侧壁表面，其中，所述源极/漏极区域的宽度小于所述沟道区域的宽度；半导体膜，位于所述源极/漏极区域上方且具有掺杂的第二半导体材料，所述半导体膜的顶面和两个侧壁表面分别地平行于所述源极/漏极区域的顶面和两个侧壁表面；以及金属接触件，位于所述半导体膜的顶面和两个侧壁表面上方且用于与所述源极/漏极区域电通信。
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