[发明专利]扇出型封装件结构和方法在审
| 申请号： | 201610919326.3 | 申请日： | 2016-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN107564867A | 公开（公告）日： | 2018-01-09 |
| 发明（设计）人： | 邱志威;邱绍玲 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/498 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种方法，包括在载体上附接半导体结构，在载体上方沉积模塑料层，其中，半导体结构嵌入在模塑料层中；将第一感光材料层和第二感光材料层暴露于光；显影第一感光材料层和第二感光材料层以形成开口，开口具有位于第一感光材料层中的第一部分和位于第二感光材料层中的第二部分，其中，第二部分的宽度大于第一部分的宽度；用导电材料填充开口以在第一感光材料层中形成通孔和在第二感光材料层中形成重分布层；以及在重分布层上方形成凸块。本发明实施例涉及扇出型封装件结构和方法。 | ||
| 搜索关键词： | 扇出型 封装 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，包括：在载体上附接半导体结构，其中，所述半导体结构包括多个连接件；在所述载体上方沉积模塑料层，其中，所述半导体结构嵌入在所述模塑料层中；在所述模塑料层上沉积第一感光材料层；根据第一图案将所述第一感光材料层暴露于光；在所述第一感光材料层上沉积第二感光材料层；根据第二图案将所述第二感光材料层暴露于光；显影所述第一感光材料层和所述第二感光材料层以形成多个开口；用导电材料填充所述多个开口以形成第一重分布层；以及在所述第一重分布层上方形成多个凸块。
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