[发明专利]分割和接合方法及其形成的结构有效
| 申请号： | 201610919590.7 | 申请日： | 2016-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN107039249B | 公开（公告）日： | 2020-04-17 |
| 发明（设计）人： | 余振华;吴仓聚;邱文智 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18;H01L25/07;H01L23/525 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了分割和接合方法以及由此形成的结构。方法包括分割第一芯片，以及在分割第一芯片之后，接合第一芯片至第二芯片。第一芯片包括第一半导体衬底和位于第一半导体衬底的正面上的第一互连结构。分割第一芯片包括通过第一半导体衬底的背面蚀刻穿过第一互连结构。 | ||
| 搜索关键词： | 分割 接合 方法 及其 形成 结构 | ||
【主权项】：
一种制造半导体结构的方法，包括：分割第一芯片，所述第一芯片包括第一半导体衬底和在所述第一半导体衬底的正面上的第一互连结构，分割所述第一芯片包括通过所述第一半导体衬底的背面蚀刻穿过所述第一互连结构；以及在所述分割所述第一芯片之后，将所述第一芯片接合至第二芯片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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