[发明专利]集成电路的制造方法与半导体元件有效
| 申请号： | 201610929498.9 | 申请日： | 2016-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN107240602B | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 卢棨彬;张亘亘;周福兴;李智雄 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/04 | 分类号： | H01L29/04;H01L21/762;H01L27/11521;H01L27/11526 |
| 代理公司： | 11021 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
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| 摘要： | 一种集成电路的制造方法，包含在结晶的晶圆的表面形成沟槽，且沟槽沿着结晶方向＜100＞延伸。此晶圆可经历较少的形变，因为当使用旋涂介电材料填满沟槽时引起较少的应力。因此，解决由晶圆形状改变造成的覆盖问题。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 制造 方法 半导体 元件 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路的制造方法，包括：/n提供结晶的晶圆，所述晶圆具有在晶面(100)中的表面，且所述晶圆具有氧浓度范围在7ppma至10ppma之间以及深度大于5μm的剥蚀区；/n在所述晶圆的所述表面上形成晶粒的阵列，每一所述晶粒具有存储器阵列区与周边电路区；/n在所述存储器阵列区中的所述表面中形成多个第一沟槽，所述多个第一沟槽沿着结晶方向<100>延伸；以及/n在所述周边电路区中的所述表面中形成多个第二沟槽，所述多个第二沟槽沿着所述结晶方向<100>延伸。/n
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