[发明专利]一种半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201610933794.6 | 申请日： | 2016-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN108002342B | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 张建华;汪新学 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B3/00 |
| 代理公司： | 11336 北京市磐华律师事务所 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，包括：提供基底，所述基底包括半导体衬底，形成于所述半导体衬底上的介质层，以及形成于所述介质层上的振动膜层；在所述基底上形成保护层，所述保护层中形成有暴露所述基底表面的开口；沉积覆盖所述基底及保护层的覆盖层，所述覆盖层的材料与所述保护层相同；刻蚀所述覆盖层，以在所述开口的拐角处形成间隙壁。与现有工艺相比，本发明提出的半导体器件的制造方法，可避免在刻蚀氮化硅的过程中在保护层开口中产生氮化硅残留物。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：/n提供基底，所述基底包括半导体衬底，形成于所述半导体衬底上的介质层，以及形成于所述介质层上的振动膜层；/n在所述基底上形成保护层，所述保护层中形成有暴露所述基底表面的开口，其中在所述基底第一区域上的保护层中形成有第一开口，在所述基底第二区域上的保护层中形成有第二开口；/n沉积覆盖所述基底及保护层的覆盖层，所述覆盖层的材料与所述保护层相同；/n刻蚀所述覆盖层，以在所述开口的拐角处形成间隙壁；/n执行刻蚀，以在所述第二开口下方的基底中形成通孔；/n在所述通孔中以及所述保护层和基底上沉积氮化硅层；以及/n执行刻蚀，以去除位于所述第一区域的所述氮化硅层。/n
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