[发明专利]一种半导体组件及具有该半导体组件的发光装置有效
| 申请号： | 201610937411.2 | 申请日： | 2013-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN107039482B | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 黄知澍 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15;H01L27/06;H01L29/872;H01L33/00;H05B45/30 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 杨林洁 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体组件及具有该半导体组件的发光装置，半导体组件包括一基板；一第1晶体管，形成于所述基板上，所述第1晶体管为常开型晶体管，所述第1晶体管包括一第1第1半导体层；一第2半导体层，形成于所述第1第1半导体层上；一第3半导体层，形成于所述第2半导体层上；一闸极电极，一汲极电极，及一源极电极，形成于所述第3半导体层上；及一惠斯登电桥整流电路，形成于所述基板上，所述惠斯登电桥整流电路包括：一第1整流二极管；一第2整流二极管，电性连接于所述第1整流二极管；一第3整流二极管，电性连接于所述第2整流二极管；及一第4整流二极管，电性连接于所述第3整流二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 组件 具有 发光 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体组件，其特征在于，包括：一基板；一第1晶体管，形成于所述基板上，所述第1晶体管为常开型晶体管，所述第1晶体管包括：一第1第1半导体层；一第2半导体层，形成于所述第1第1半导体层上；一第3半导体层，形成于所述第2半导体层上；一闸极电极，一汲极电极，及一源极电极，形成于所述第3半导体层上；及一惠斯登电桥整流电路，形成于所述基板上，所述惠斯登电桥整流电路包括：一第1整流二极管；一第2整流二极管，电性连接于所述第1整流二极管；一第3整流二极管，电性连接于所述第2整流二极管；及一第4整流二极管，电性连接于所述第3整流二极管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
