[发明专利]托盘、反应腔室、半导体加工设备有效
| 申请号： | 201610940824.6 | 申请日： | 2016-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN108004525B | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 黎俊希 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/54 | 分类号： | C23C16/54;H01L21/687;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;汪源 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种托盘、反应腔室、半导体加工设备，属于半导体加工技术领域，其可解决现有技术中基片容易出现位置偏差的问题。本发明的托盘，包括托盘本体，所述托盘本体上设置有凹部；预设所述托盘本体的上表面的围绕所述凹部的区域为第一承载位；所述第一承载位用于承载基片；所述凹部用于容纳在放置基片时基片与所述第一承载位之间的气体。 | ||
| 搜索关键词： | 托盘 反应 半导体 加工 设备 | ||
【主权项】：
1.一种托盘，包括托盘本体，其特征在于，所述托盘本体上设置有凹部；预设所述托盘本体的上表面的围绕所述凹部的区域为第一承载位；所述第一承载位用于承载基片；所述凹部用于容纳在放置基片时基片与所述第一承载位之间的气体。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
