[发明专利]半导体层的制备方法有效
| 申请号： | 201610943257.X | 申请日： | 2016-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN108017048B | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | 李东琦;魏洋;姜开利;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
| 主分类号： | C01B32/158 | 分类号： | C01B32/158;H01L21/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种半导体层的制备方法，其包括以下步骤：提供一导电基底，该导电基底上设置一层绝缘层；在所述绝缘层上设置一碳纳米管结构；将碳纳米管结构放置在扫描电镜下，调整扫描电镜的加速电压为5～20千伏，驻留时间为6～20微秒，放大倍数为1万～10万倍，采用扫描电镜对所述碳纳米管结构拍摄照片；获得碳纳米管结构的照片，照片中碳纳米管分布在衬底上，比衬底颜色浅的碳纳米管为金属型碳纳米管，比衬底颜色深的碳纳米管为半导体型碳纳米管；按照和照片相同的比例，在实物上相同的位置对金属型的碳纳米管进行标识，并除去金属型碳纳米管。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体层的制备方法，其包括以下步骤：/n提供一导电基底，该导电基底上设置一层绝缘层；/n在所述绝缘层上设置一碳纳米管结构；/n将碳纳米管结构放置在扫描电镜下，调整扫描电镜的加速电压为5～20千伏，驻留时间为6～20微秒，放大倍数为1万～10万倍，采用扫描电镜对所述碳纳米管结构拍摄照片；/n获得碳纳米管结构的照片，照片中碳纳米管分布在衬底上，比衬底颜色浅的碳纳米管为金属型碳纳米管，比衬底颜色深的碳纳米管为半导体型碳纳米管；以及/n按照和照片相同的比例，在实物上相同的位置对金属型的碳纳米管进行标识，并除去金属型碳纳米管。/n
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