[发明专利]一种半导体器件及其制造方法和电子装置在审
| 申请号： | 201610945550.X | 申请日： | 2016-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN107994064A | 公开（公告）日： | 2018-05-04 |
| 发明（设计）人： | 张超;周儒领;张庆勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/08;H01L21/336;H01L21/285 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 董巍,高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置，涉及半导体技术领域。该方法包括提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成隔离结构；在所述半导体衬底上形成栅极结构；在所述半导体衬底的部分表面上形成半导体接触层，所述半导体接触层覆盖预定形成浅结源极和预定形成浅结漏极的区域，所述半导体接触层中包括硅元素；在所述栅极结构两侧的半导体衬底中形成所述浅结源极和所述浅结漏极；进行金属硅化物工艺，以将至少部分所述半导体接触层转变为金属硅化物层。本发明的方法，降低了插入损失，有利于控制关断电流，通过在源极和漏极上额外形成半导体接触层，来形成浅结源极和漏极，并能够降低源极和漏极的结面积。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成隔离结构；在所述半导体衬底上形成栅极结构；在所述半导体衬底的部分表面上形成半导体接触层，所述半导体接触层覆盖预定形成浅结源极和预定形成浅结漏极的区域，所述半导体接触层中包括硅元素；在所述栅极结构两侧的半导体衬底中形成所述浅结源极和所述浅结漏极；进行金属硅化物工艺，以将至少部分所述半导体接触层转变为金属硅化物层。
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