[发明专利]包括三维结构的半导体存储器装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体存储器装置，其包括由单元区和在单元区之间的接触区限定的衬底；在接触区之上形成的介电结构；具有分别在单元区之上形成的单元部分、在接触区之上形成并联接单元部分的联接部分以及容纳介电结构的通过部分的存储块；在衬底之上存储块之下形成的外围电路；设置在存储块和外围电路之间并与外围电路电联接的底部线路；设置在存储块之上的顶部线路；以及穿过介电结构并将底部线路和顶部线路联接的接触插塞。

主权项

一种半导体存储器装置，其包括：衬底，其包括单元区和在所述单元区之间的接触区；介电结构，其在所述接触区之上形成；存储块，其具有分别在所述单元区之上形成的单元部分、在所述接触区之上形成并联接所述单元部分的联接部分以及容纳所述介电结构的通过部分；外围电路，其在所述衬底之上所述存储块之下形成；底部线路，其设置在所述存储块和所述外围电路之间，所述底部线路与所述外围电路电联接；顶部线路，其设置在所述存储块之上；以及接触插塞，其穿过所述介电结构并将所述底部线路和所述顶部线路联接。