[发明专利]制造半导体器件的方法在审
| 申请号： | 201610957885.3 | 申请日： | 2016-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN107039339A | 公开（公告）日： | 2017-08-11 |
| 发明（设计）人： | 前田真一 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/331;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人： | 李兰,孙志湧 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制造半导体器件的方法，防止了当用一个半导体晶圆制造具有晶体管的预定数量的半导体芯片时，由于用半导体晶圆制造过量的半导体芯片，导致半导体器件的制造成本增加。在可通过一个曝光步骤被曝光的曝光区中的第一芯片形成区中形成包括具有第一面积的第一发射极区的第一双极晶体管，并且在曝光区中的第二芯片形成区中包括形成具有与第一面积不同的第二面积的第二发射极区的第二双极晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：(a)设置具有第一导电类型的半导体衬底；(b)在所述半导体衬底的顶部上方，形成具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型的第一半导体区；(c)在所述第一半导体区的顶部上方，形成具有所述第一导电类型的第二半导体区和具有所述第一导电类型的第三半导体区；以及(d)将所述半导体衬底划分成个体块，由此形成第一半导体芯片和第二半导体芯片，所述第一半导体芯片包括第一晶体管，所述第一晶体管包括所述半导体衬底、所述第一半导体区和所述第二半导体区，所述第二半导体芯片包括第二晶体管，所述第二晶体管包括所述半导体衬底、所述第一半导体区和所述第三半导体区；其中，从平面图来看，所述第二半导体区的面积小于所述第三半导体区的面积。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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