[发明专利]具有空腔的聚合物系半导体结构有效
| 申请号： | 201610969011.X | 申请日： | 2016-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN107068625B | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 余振华;郭鸿毅;蔡豪益 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/498;H01L23/64 |
| 代理公司： | 11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 路勇 |
| 地址： | 中国台湾新竹科学工*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
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| 摘要： | 本揭露涉及一种具有空腔的聚合物系半导体结构。一种结构，其包括装置裸片；以及囊封材料，在其中囊封所述装置裸片。所述囊封材料具有顶部表面，与所述装置裸片的顶部表面共平面；以及空腔，在所述囊封材料中。所述空腔穿透所述囊封材料。 | ||
| 搜索关键词： | 囊封材料 空腔 裸片 顶部表面 半导体结构 聚合物系 共平面 囊封 穿透 | ||
【主权项】：
1.一种具有空腔的聚合物系半导体的结构，其包含：/n装置裸片；/n囊封材料，在其中囊封所述装置裸片；/n导电线圈，穿透所述囊封材料；以及/n空腔，在所述囊封材料中，其中所述空腔穿透所述囊封材料；/n其中所述空腔被所述导电线圈围绕。/n
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