[发明专利]一种半导体器件及其制作方法、电子装置

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制作方法、电子装置，该制作方法包括下述步骤：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成多层叠层结构，在所述层叠结构中形成沟道孔，并在沟道孔的表面上形成存储层和沟道材料层；在沟道孔的顶部形成顶部沟道材料层，以密封所述沟道孔；在顶部沟道材料层的表面形成平坦层；去除平坦层和层叠结构表面上的部分顶部沟道材料层；去除层叠结构表面上剩余的顶部沟道材料层，其中，在去除层叠结构表面上剩余的顶部沟道材料层时采用顶部沟道材料层对层叠结构中的顶部介质层具有高选择性的蚀刻工艺。该制作方法可以避免沉积过后的顶部多晶硅层，且具有较大工艺窗口，因而制作成本降低。该半导体器件和电子装置具有类似的优点。

主权项

1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括下述步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底至少包括存储区域，在所述存储区域的半导体衬底上形成多层叠层结构，每一叠层结构包括牺牲层和位于所述牺牲层上的介质层，在所述层叠结构中形成沟道孔，并在所述沟道孔的表面上形成存储层和沟道材料层；在所述沟道孔的顶部形成顶部沟道材料层，以密封所述沟道孔；在所述顶部沟道材料层的表面形成平坦层；去除所述平坦层和所述层叠结构表面上的部分所述顶部沟道材料层；去除所述层叠结构表面上剩余的顶部沟道材料层，其中，在去除所述层叠结构表面上剩余的顶部沟道材料层时采用顶部沟道材料层对所述层叠结构中的顶部介质层具有高选择性的蚀刻工艺。