[发明专利]半导体结构的形成方法

摘要

一种半导体结构的形成方法，包括：形成衬底和初始鳍部、隔离层；形成定位层；刻蚀所述定位层和所述初始鳍部形成沟槽；在所述沟槽内形成隔离结构；在所述隔离结构上形成保护层；露出所述隔离层；回刻所述隔离层；露出所述隔离结构；形成伪栅结构和栅极结构。本发明技术方案中，通过一次刻蚀和一次填充形成隔离结构，避免了多次刻蚀以隔离结构和台阶层之间的对准问题；而且回刻过程中位于所述隔离结构上的保护层保护所述隔离结构，避免了回刻工艺对所述隔离结构造成损伤，因此与通过两次刻蚀形成隔离结构和台阶层的技术方案相比，本发明技术方案扩大了工艺窗口，降低了工艺难度，有利于良率的提高。

主权项

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：形成衬底，所述衬底上具有多个分立的初始鳍部，相邻初始鳍部之间具有隔离层；在所述初始鳍部和所述隔离层上形成定位层；刻蚀所述定位层和所述初始鳍部，在所述初始鳍部和所述定位层内形成沟槽，所述沟槽将所述初始鳍部分为沿延伸方向排列的多个鳍部；在所述沟槽内形成隔离结构；在所述隔离结构上形成保护层；去除所述定位层，露出所述隔离层；回刻所述隔离层，露出所述鳍部侧壁的部分表面；去除所述保护层，露出所述隔离结构；形成位于所述隔离结构上的伪栅结构和位于所述鳍部上的栅极结构，所述栅极结构横跨所述鳍部且覆盖所述鳍部部分顶部和部分侧壁的表面。