[发明专利]半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201610974184.0 | 申请日： | 2016-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN107039266B | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 金湳健;李赞美 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/8242;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 翟然 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件的制造方法包括：在基板上形成隔离层和由隔离层限定的有源区；在基板上形成绝缘层；在绝缘层上形成多个柱掩模，所述多个柱掩模彼此间隔开第一间隔和小于第一间隔的第二间隔；在所述多个柱掩模上形成间隔物；通过部分地去除间隔物，在其中所述多个柱掩模互相间隔开第二间隔的区域中形成掩模桥；以及通过使用所述多个柱掩模和所述掩模桥蚀刻绝缘层，形成暴露有源区的接触孔。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，包括：在基板上形成隔离层和由所述隔离层限定的有源区；在所述隔离层和所述有源区上形成绝缘层；在所述绝缘层上形成多个柱掩模，所述多个柱掩模互相间隔开第一间隔和小于所述第一间隔的第二间隔；在所述多个柱掩模上形成间隔物；通过部分地去除所述间隔物，在其中所述多个柱掩模互相间隔开所述第二间隔的区域中形成掩模桥；以及通过使用所述多个柱掩模和所述掩模桥蚀刻所述绝缘层，形成暴露所述有源区的接触孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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