[发明专利]存储器结构及其制造方法

摘要

一种存储器结构包括多个存储单元的一3D阵列、设置在3D阵列上的多条第一导线、设置在第一导线上的多条第二导线、设置在第二导线上的一上方金属板、和至少一搭接结构。第二导线和第一导线是在不同的方向上延伸。至少一搭接结构用于第一导线，并对应地设置在3D阵列的至少一虚拟区上。各个搭接结构包括一连接结构和一跳接线。连接结构连接第一导线。跳接线设置在连接结构上并耦接至连接结构，跳接线并且耦接至上方金属板。跳接线和第二导线是在相同的方向上延伸。