[发明专利]MOS管参数退化电路和MOS管参数退化预警电路

摘要

本发明涉及一种MOS管参数退化电路，包括CMOS反相器、应力施加电路和参数测量电路；CMOS反相器包括第一PMOS管与第一NMOS管；应力施加电路在第一模式选择信号的控制下导通，应力施加电路接收控制信号后对CMOS反相器的第一PMOS管施加负栅压偏置应力或者正栅压偏置应力；参数测量电路在第二模式选择信号的控制下导通；参数测量电路接收输入信号，将输入信号输出至CMOS反相器的输入端；第一模式选择信号与第二模式选择信号为互补信号；本发明可以提高MOS管参数退化测试结果的准确性。此外，本发明还涉及一种MOS管参数退化预警电路，可以准确分析NBTI效应对PMOS管器件参数的影响。

主权项

1.一种MOS管参数退化电路，其特征在于，包括：CMOS反相器、应力施加电路和参数测量电路；所述CMOS反相器包括第一PMOS管与第一NMOS管；所述第一PMOS管的栅极与所述第一NMOS管的栅极连接，作为所述CMOS反相器的输入端；所述第一PMOS管的漏极与所述第一NMOS管的漏极连接，作为所述CMOS反相器的输出端；所述第一PMOS管的源极接电源，所述第一NMOS管的源极接地；所述CMOS反相器的输入端分别与所述应力施加电路的输出端、所述参数测量电路的输出端连接；所述应力施加电路在第一模式选择信号的控制下导通，所述应力施加电路接收控制信号后对所述CMOS反相器的第一PMOS管施加负栅压偏置应力或者正栅压偏置应力；所述参数测量电路在第二模式选择信号的控制下导通，所述参数测量电路接收输入信号，将所述输入信号输出至所述CMOS反相器的输入端，所述CMOS反相器的输出端输出与所述输入信号反相的输出信号；所述第一模式选择信号与所述第二模式选择信号为互补信号；所述输入信号为低电平信号时，所述第一PMOS管导通，所述第一NMOS管截止，所述CMOS反相器的输出端输出高电平信号；所述输入信号为高电平信号时，所述第一PMOS管截止，所述第一NMOS管导通，所述CMOS反相器的输出端输出低电平信号。