[发明专利]动态随机存储器及其形成方法在审
| 申请号： | 201610994767.X | 申请日： | 2016-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN108075038A | 公开（公告）日： | 2018-05-25 |
| 发明（设计）人： | 林曦;沈忆华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种动态随机存储器及其形成方法，其中动态随机存储器的形成方法包括：提供基底，所述基底上具有栅极结构和层间介质层，所述栅极结构两侧的基底中分别具有源漏掺杂区，所述层间介质层位于栅极结构、基底和源漏掺杂区的表面；在所述层间介质层中形成第一开口，所述第一开口暴露出栅极结构一侧的源漏掺杂区；在所述第一开口中形成存储结构，所述存储结构包括位于第一开口侧壁表面和底部表面的第一导电层、位于第一导电层上的存储介质层和位于存储介质层上的第二导电层。所述动态随机存储器的形成方法使得工艺得到简化。 | ||
| 搜索关键词： | 动态随机存储器 栅极结构 基底 层间介质层 源漏掺杂区 存储介质层 第一导电层 开口 存储结构 第二导电层 底部表面 开口侧壁 暴露 | ||
【主权项】：
1.一种动态随机存储器的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底上具有栅极结构和层间介质层，所述栅极结构两侧的基底中分别具有源漏掺杂区，所述层间介质层位于栅极结构、基底和源漏掺杂区的表面；在所述层间介质层中形成第一开口，所述第一开口暴露出栅极结构一侧的源漏掺杂区；在所述第一开口中形成存储结构，所述存储结构包括位于第一开口侧壁表面和底部表面的第一导电层、位于第一导电层上的存储介质层和位于存储介质层上的第二导电层。
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