[发明专利]一种处理水位检测信号的电路

摘要

本发明公开了一种处理水位检测信号的电路，包括NMOS管一、NMOS管二、NMOS管三、NMOS管四、电容一、信号输入线路一、信号输入线路二及多个串联的P沟道增强型场效应管，多个串联的P沟道增强型场效应管与电容一并联构成串并联线路。信号输入线路一连接在NMOS管一漏极和NMOS管三源极之间的线路上，信号输入线路二连接在NMOS管二漏极与NMOS管四漏极之间的线路上。本发明通过调整NMOS管一和NMOS管二实现天线的电压限压，不会对功率产生影响。

主权项

1.一种处理水位检测信号的电路，其特征在于：包括NMOS管一（N1）、NMOS管二（N2）、NMOS管三（N3）、NMOS管四（N4）、电容一（C1）及多个串联的P沟道增强型场效应管，NMOS管三（N3）、NMOS管四（N4）及多个P沟道增强型场效应管均为二极管连接的MOS管，所述NMOS管三（N3）的漏极和源极分别与NMOS管四（N4）漏极和NMOS管一（N1）漏极连接，NMOS管二（N2）的漏极与NMOS管四（N4）源极连接，NMOS管一（N1）源极和NMOS管二（N2）源极均接地，所述多个串联的P沟道增强型场效应管的串联支路两端分别串联电阻三（R3）和电阻四（R4）后与电容一（C1）并联构成串并联线路，该串并联线路一端与NMOS管三（N3）漏极和NMOS管四（N4）漏极之间的线路连接，其另一端接地，所述NMOS管一（N1）和NMOS管二（N2） 两者的栅极均与多个串联的P沟道增强型场效应管和电阻四（R4）之间的线路连接；所述NMOS管一（N1）漏极和NMOS管三（N3）源极之间的线路上连接有信号输入线路一（Ant1），NMOS管二（N2）漏极与NMOS管四（N4）漏极之间的线路上连接有信号输入线路二（Ant2）。