[发明专利]一种半导体器件及其制作方法和电子装置在审
| 申请号： | 201610998117.2 | 申请日： | 2016-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN108074823A | 公开（公告）日： | 2018-05-25 |
| 发明（设计）人： | 施林波;陈福成 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件及其制作方法和电子装置。所述方法包括：提供器件晶圆，所述器件晶圆包括形成于所述器件晶圆正面的器件结构；提供支撑晶圆，并将所述支撑晶圆与所述器件晶圆的正面进行临时键合；对所述器件晶圆的背面进行减薄；在所述器件晶圆的背面形成封装结构；对所述器件晶圆进行切割；进行解键合，以使所述器件晶圆和所述支撑晶圆分离。本发明切割过程中晶圆还是键合的状态，芯片表面被保护，且厚片切割品质容易保证；切割之后采用化学解键合(chemical De‑bond)，采用平台(bench)式作业，产量(throughput)高，安全可靠。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆 键合 切割 半导体器件 电子装置 背面 支撑 封装结构 晶圆正面 临时键合 器件结构 切割过程 芯片表面 化学解 厚片 减薄 制作 保证 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，所述方法包括：提供器件晶圆，所述器件晶圆包括形成于所述器件晶圆正面的器件结构；提供支撑晶圆，并将所述支撑晶圆与所述器件晶圆的正面进行临时键合；对所述器件晶圆的背面进行减薄；在所述器件晶圆的背面形成封装结构；对所述器件晶圆进行切割；进行解键合，以使所述器件晶圆和所述支撑晶圆分离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
