[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201611002333.3 | 申请日： | 2016-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN108074814B | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 邓浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/08 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法包括：提供衬底，所述衬底内具有多个隔离结构；形成位于相邻隔离结构之间衬底上的栅极结构；在所述栅极结构两侧的衬底内形成应力层；在所述应力层上形成帽层，形成帽层的工艺包括旋涂工艺。本发明技术方案，在形成应力层后，在所述应力层上形成帽层，形成所述帽层的工艺包括旋涂工艺。由于所述帽层是通过旋涂工艺形成的，所以所形成帽层的形貌不会随着所述应力层形貌的变化而变化，而且栅极结构之间的多个帽层具有齐平的表面，所以所形成的帽层能够较好实现对所述应力层形貌的修复，从而有利于提高所形成帽层的表面形貌，有利于改善所形成半导体结构的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底内具有多个隔离结构；形成位于相邻隔离结构之间衬底上的栅极结构；在所述栅极结构两侧的衬底内形成应力层；在所述应力层上形成帽层，形成帽层的工艺包括旋涂工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
