[发明专利]用于减薄衬底的方法有效
| 申请号： | 201611018130.3 | 申请日： | 2016-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN107039252B | 公开（公告）日： | 2020-09-11 |
| 发明（设计）人： | R·拉普;I·莫德;I·穆里;F·J·桑托斯罗德里奎兹;H-J·舒尔策 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郑立柱 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 各种实施例涉及用于减薄衬底的方法。根据各种实施例，一种方法可以包括：提供具有第一侧和与第一侧相对的第二侧的衬底；通过处理衬底的第一侧而在衬底中或上方中的至少一项形成掩埋层；将衬底从衬底的第二侧减薄，其中掩埋层包括与衬底相比对减薄具有较大抵抗性的固态化合物，并且其中减薄在掩埋层处停止。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 衬底 方法 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：提供具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧的衬底；通过处理所述衬底的所述第一侧而在以下中的至少一项形成掩埋层：在所述衬底中或在所述衬底上方；从所述衬底的所述第二侧减薄所述衬底，其中所述掩埋层包括与所述衬底相比对所述减薄具有更大抵抗性的固态化合物，并且其中所述减薄在所述掩埋层处停止。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
