[发明专利]半导体器件

摘要

本发明涉及一种半导体器件。实现了半导体器件的性能提高。该半导体器件包括半导体衬底；布线结构，其形成在所述半导体衬底上方并且包括多个布线层；以及第一线圈、第二线圈、和第三线圈，其形成在所述半导体衬底上方。在位于所述第一线圈下方并且在平面图中与第一线圈重叠的区域中，设置第二线圈(CL2a)和第三线圈(CL2b)。第二线圈和第三线圈形成在相同的层中并且彼此串联电耦合。第二线圈和第三线圈中的每个和第一线圈没有经由导体彼此耦合，但彼此磁耦合。

主权项

一种半导体器件，包括：半导体衬底；布线结构，所述布线结构形成在所述半导体衬底上方并且包括多个布线层；以及第一线圈、第二线圈和第三线圈，所述第一线圈、所述第二线圈和所述第三线圈形成在所述半导体衬底上方，其中，在位于所述第一线圈下方并且在平面图中与所述第一线圈重叠的区域中，设置有所述第二线圈和所述第三线圈，其中，所述第二线圈和所述第三线圈形成在相同的层中并且彼此串联电耦合，以及其中，所述第二线圈和所述第三线圈中的每个和所述第一线圈没有经由导体彼此耦合，但彼此磁耦合。