[发明专利]半导体存储器件及其操作方法有效
| 申请号： | 201611025104.3 | 申请日： | 2016-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN107393592B | 公开（公告）日： | 2021-11-12 |
| 发明（设计）人： | 李钟妴;朴鎭寿;禹贤守 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 李少丹;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种半导体存储器件及其操作方法。一种半导体存储器件包括：存储单元阵列，包括多个存储块；外围电路，用于对多个存储块之中的选中存储块执行编程操作；以及控制逻辑，用于控制外围电路来执行编程操作。控制逻辑在编程操作期间控制外围电路来执行验证操作，然后施加预漏极选择线电压给选中存储块和未选中存储块的漏极选择线。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器件，包括：存储单元阵列，包括多个存储块；外围电路，被配置成对所述多个存储块之中的选中存储块执行编程操作；以及控制逻辑，被配置成控制外围电路来执行编程操作，其中，控制逻辑在编程操作期间控制外围电路来执行验证操作，然后施加预漏极选择线电压给选中存储块和未选中存储块的漏极选择线。
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