[发明专利]一种浮栅生成方法、闪存浮栅生成方法及闪存制造方法

摘要

本发明涉及一种浮栅生成方法、闪存浮栅生成方法及闪存制造方法，包括在衬底待生成浮栅区生成隔离；在衬底上沉积生成多晶硅层；多晶硅层包括待生成浮栅区多晶硅层和非生成浮栅区多晶硅层；对待生成浮栅区多晶硅层进行离子注入，以改变待生成浮栅区多晶硅层的结晶状态；对多晶硅层进行化学机械研磨，直至待生成浮栅区多晶硅层被隔离分离，以形成栅格；去除非生成浮栅区多晶硅层，以形成浮栅。本发明的有益效果是避免去除此非生成浮栅区多晶硅层的过程中损伤衬底，导致生成的器件无法正常开启或失效；且有效避免了现有生成方式在离子注入进程中，由于非生成浮栅区多晶硅层过薄，如未对此部分采取保护措施，离子注入会影响衬底的可能。

主权项

一种浮栅生成方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1，在衬底待生成浮栅区生成隔离；步骤2，在衬底上沉积生成多晶硅层；所述多晶硅层包括待生成浮栅区多晶硅层和非生成浮栅区多晶硅层；步骤3，对所述待生成浮栅区多晶硅层进行离子注入，以改变所述待生成浮栅区多晶硅层的结晶状态；步骤4，对多晶硅层进行化学机械研磨，直至所述待生成浮栅区多晶硅层被所述隔离分离，以形成栅格；步骤5，去除所述非生成浮栅区多晶硅层，以形成浮栅。