[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

一种半导体器件，包括设置在半导体衬底上并且在半导体衬底上的第一方向上延伸的纳米线结构。每个纳米线结构包括沿着第一方向延伸并且布置在第二方向上的多个纳米线，第二方向大致垂直于第一方向。每个纳米线与直接相邻的纳米线隔开。栅极结构在纳米线结构的第一区域上方的第三方向上延伸，第三方向大致垂直于第一方向和第二方向两者。栅极结构包括栅电极。在纳米线结构的第二区域上方设置源极/漏极区，第二区域位于栅极结构的相对侧上。栅电极包裹环绕每个纳米线。当在沿着第三方向截取的截面图中观察时，纳米线结构中的每个纳米线的形状不同于其他纳米线的形状，并且每个纳米线具有与纳米线结构中的其他纳米线大致相同的截面面积。本发明实施例涉及半导体器件及其制造方法。

主权项

一种半导体器件，包括：至少一个纳米线结构，设置在半导体衬底上并且在所述半导体衬底上以第一方向延伸，其中，每个所述纳米线结构包括沿着所述第一方向延伸并且在第二方向上布置的多个纳米线，所述第二方向垂直于所述第一方向，其中，每个所述纳米线与直接相邻的纳米线间隔开；栅极结构，位于所述纳米线结构的第一区域上方以第三方向延伸，所述第三方向垂直于所述第一方向和所述第二方向，并且所述栅极结构包括栅电极；源极/漏极区，设置在所述纳米线结构的第二区域上方，所述纳米线结构的第二区域位于所述栅极结构的相对两侧上，其中，所述栅电极包裹环绕每个所述纳米线，以及当在沿着所述第三方向截取的截面图中观察时，所述纳米线结构中的每个所述纳米线的形状不同于所述纳米线结构中的其他纳米线的形状，并且所述纳米线结构中的每个所述纳米线具有与所述纳米线结构中的其他所述纳米线相同的截面面积。