[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，涉及半导体技术领域。该方法包括：提供衬底结构，其包括：具有第一和第二器件区的衬底、在第一器件区的上的第一伪栅结构、在第二器件区上的第二伪栅结构和在第一伪栅结构下方的LDD区；第一伪栅结构包括在第一器件区上的第一伪栅电介质层、在第一伪栅电介质层上的第一伪栅及其侧壁上的第一间隔物层；第二伪栅结构包括在第二器件区上的第二伪栅电介质层、在第二伪栅电介质层上的第二伪栅及其侧壁上的第二间隔物层；去除第一伪栅；对第一间隔物层进行回刻，以减小第一间隔物层的厚度；去除露出的第一伪栅电介质层，以形成第一沟槽；去除第二伪栅和露出的第二伪栅电介质层，以形成第二沟槽。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底结构，所述衬底结构包括：具有第一器件区和第二器件区的衬底、在所述第一器件区的上的第一伪栅结构、在所述第二器件区上的第二伪栅结构、以及在所述第一伪栅结构下方的漏极轻掺杂LDD区；所述第一伪栅结构包括在所述第一器件区上的第一伪栅电介质层、在所述第一伪栅电介质层上的第一伪栅、以及在所述第一伪栅的侧壁上的第一间隔物层；所述第二伪栅结构包括在所述第二器件区上的第二伪栅电介质层、在所述第二伪栅电介质层上的第二伪栅、以及在所述第二伪栅的侧壁上的第二间隔物层；去除所述第一伪栅；对所述第一间隔物层进行回刻，以减小所述第一间隔物层的厚度；去除露出的第一伪栅电介质层，以形成第一沟槽；以及去除所述第二伪栅和露出的第二伪栅电介质层，以形成第二沟槽。