[发明专利]3DIC结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201611046804.0 | 申请日： | 2016-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN107134445A | 公开（公告）日： | 2017-09-05 |
| 发明（设计）人： | 吴国铭;林永隆;王志扬;陈升照;周正贤 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L23/50;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人： | 路勇 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种3DIC结构及其形成方法。所述结构包含上覆在第一衬底上的第一电介质层。第一连接垫放置在所述第一电介质层的顶部表面中且接触第一重布线。第一虚拟垫放置在所述第一电介质层的所述顶部表面中，所述第一虚拟垫接触所述第一重布线。第二电介质层上覆在第二衬底上。第二连接垫及第二虚拟垫放置在所述第二电介质层的顶部表面中，所述第二连接垫接合到所述第一连接垫，且所述第一虚拟垫以与所述第二虚拟垫偏离的方式定位，使得所述第一虚拟垫与所述第二虚拟垫彼此不接触。 | ||
| 搜索关键词： | dic 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种结构，其包括：第一电介质层，其上覆在第一衬底上；第一连接垫，其放置在所述第一电介质层的顶部表面中且接触放置在所述第一电介质层中的第一导体，所述导体的主要表面在平行于所述第一电介质层的所述顶部表面的方向上延伸；第一虚拟垫，其放置在所述第一电介质层的所述顶部表面中，所述第一虚拟垫接触所述第一导体；第二电介质层，其上覆在第二衬底上；及第二连接垫及第二虚拟垫，其放置在所述第二电介质层的顶部表面中，所述第二连接垫接合到所述第一连接垫，且所述第一虚拟垫以与所述第二虚拟垫偏离的方式定位，使得所述第一虚拟垫与所述第二虚拟垫彼此不接触。
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