[发明专利]一种电阻子电路噪声模型结构及其建模方法有效
| 申请号： | 201611048937.1 | 申请日： | 2016-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN106777523B | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 彭兴伟;王伟 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/327 | 分类号： | G06F30/327 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种电阻子电路噪声模型结构及其建模方法，其包括电阻子电路和并联到所述电阻子电路的两端的噪声源，用于将电阻子电路的噪声特性加入到电阻子电路模型中；其中，电阻子电路是根据电阻器件模型建模时所需要满足的电阻精度要求形成；噪声源噪声值的大小和电阻子电路的长宽和流经电阻子电路的电流与所述电阻子电路两端所加的电压频率相关。因此，本发明是将在电阻子电路中加入精确的电阻噪声模型，使电阻电子模型更加完善，使噪声拟合的很好，且使电阻电子模型的仿真结果更接近实际测量数据，从而提高了电阻子电路模型的仿真结果的可信度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电阻 电路 噪声 模型 结构 及其 建模 方法 | ||
【主权项】：
一种电阻子电路噪声模型结构，其特征在于，包括电阻子电路和并联到所述电阻子电路的两端的噪声源，用于将电阻子电路的噪声特性加入到电阻子电路模型中；其中，所述电阻子电路是根据电阻器件模型建模时所需要满足的电阻精度要求形成；所述噪声源噪声值的大小和所述电阻子电路的长宽和流经所述电阻子电路的电流与所述电阻子电路两端所加的电压频率相关。
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