[发明专利]一种沟槽肖特基势垒二极管芯片在审
| 申请号： | 201611049905.3 | 申请日： | 2016-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN107293574A | 公开（公告）日： | 2017-10-24 |
| 发明（设计）人： | 马文力;姚伟明;杨勇 | 申请（专利权）人： | 扬州国宇电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/872 |
| 代理公司： | 苏州润桐嘉业知识产权代理有限公司32261 | 代理人： | 胡思棉 |
| 地址： | 225101 江苏省扬*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种沟槽肖特基势垒二极管芯片，包括N型重掺杂衬底、N型轻掺杂外延层、沟槽、氧化层、多晶硅、肖特基势垒层、正面金属、背面金属；其特征在于在沟槽开口为喇叭状或圆弧形或其他特殊形状，沟槽开口处的宽度大于沟槽本体的宽度。本发明沟槽肖特基势垒二极管芯片可显著降低传统沟槽肖特基势垒二极管芯片的加工难度，有效提升制造良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 肖特基势垒二极管 芯片 | ||
【主权项】：
一种沟槽肖特基势垒二极管芯片，其包括N型重掺杂衬底，及在其上生长的一层N型轻掺杂外延层，在所述N型轻掺杂外延层内设有沟槽，在所述沟槽表面设有氧化层，在所述沟槽内的空腔中填充有多晶硅，在所述N型轻掺杂外延层上表面设有肖特基势垒层，在所述肖特基势垒层以及所述多晶硅上表面设有正面金属，在所述N型重掺杂衬底下表面设有背面金属，其特征在于所述沟槽包括沟槽开口、沟槽本体和沟槽底部，所述沟槽开口处宽度大于所述沟槽本体宽度，在所述沟槽本体及沟槽底部内设置有所述多晶硅，在所述沟槽开口处设置有所述正面金属。
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