[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

半导体器件包括半导体衬底、多个半导体鳍、栅极堆叠件和外延结构。半导体鳍存在于半导体衬底上。半导体鳍分别包括位于其中的凹槽。栅极堆叠件存在于邻近凹槽的半导体鳍的部分上。外延结构横跨半导体鳍的凹槽而存在。外延结构包括多个角和存在于角之间的至少一个槽，以及槽具有大于至少一个角的曲率半径的曲率半径。本发明实施例涉及半导体器件及其制造方法。

主权项

1.一种半导体器件，包括：/n半导体衬底；/n多个半导体鳍，存在于所述半导体衬底上，所述半导体鳍分别包括位于所述半导体鳍中的凹槽；/n至少一个栅极堆叠件，存在于所述半导体鳍的邻近所述凹槽的部分上；以及/n至少一个外延结构，横跨所述半导体鳍的所述凹槽存在，其中，所述外延结构包括多个角和存在于所述角之间的至少一个槽，以及所述槽具有比所述角的至少一个角的曲率半径大的曲率半径，所述外延结构还包括分别存在于所述半导体鳍上的多个外延层和至少存在于所述外延层之间的至少一个覆盖层，其中，所述槽至少存在于所述覆盖层上，所述外延层具有未被所述覆盖层覆盖的顶面。/n