[发明专利]晶片的加工方法和加工装置有效
申请号: | 201611059362.3 | 申请日: | 2016-11-25 |
公开(公告)号: | CN106881535B | 公开(公告)日: | 2020-06-30 |
发明(设计)人: | 能丸圭司 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;B23K26/382;B23K26/046;B23K26/70 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;于靖帅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明的课题在于提供晶片的加工方法和加工装置,能够维持所限制的脉冲激光光线的最大重复频率,并且在多个部位同时地形成通孔。根据本发明,该晶片的加工方法具有如下的步骤:椭圆轨道生成步骤,将4个器件作为一个群组而生成通过各器件中的配设于相同位置的4个电极垫的包含圆在内的椭圆轨道;激光光线照射步骤,一边描绘该椭圆轨道一边从晶片的背面向与该4个电极垫对应的位置照射脉冲激光光线;以及椭圆轨道定位步骤,对该椭圆轨道进行定位以使该椭圆轨道通过与接下来应该加工的4个电极垫对应的位置,一边对该晶片与脉冲激光光线照射单元相对地加工进给一边依次实施该激光光线照射步骤和该椭圆轨道定位步骤而实施通孔加工。 | ||
搜索关键词: | 晶片 加工 方法 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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