[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 201611062638.3 | 申请日： | 2016-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN108122991B | 公开（公告）日： | 2020-07-31 |
| 发明（设计）人： | 袁波;刘玉成;高胜;徐琳 | 申请（专利权）人： | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司;昆山国显光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人： | 许志勇 |
| 地址： | 215300 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种薄膜晶体管及其制作方法。该薄膜晶体管包括：第二绝缘层以及第三绝缘层，第二绝缘层位于第一电极、第二电极以及第一绝缘层的上方，第三绝缘层位于第二绝缘层、第四电极、第一绝缘层以及第三电极的上方，其中：第二绝缘层用于分隔作为电容器两个电极的第二电极和第四电极；第三绝缘层用于分隔氧化物半导体薄膜晶体管中的第三电极和半导体氧化物沟道。在该薄膜晶体管中由于通过第二绝缘层来分隔电容器的两个电极，并通过第三绝缘层来分隔氧化物半导体薄膜晶体管中的栅极和半导体氧化物沟道，因此可以通过分别控制第二绝缘层和第三绝缘层的厚度，来满足电容器和氧化物半导体薄膜晶体管对厚度调节的需要。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：第二绝缘层(26)以及第三绝缘层(27)，所述第二绝缘层(26)位于第一电极(251)、第二电极(252)以及第一绝缘层(24)的上方，所述第一绝缘层(24)用于分隔低温多晶硅薄膜晶体管(2a)中的第一电极(251)和多晶硅沟道(23)，所述第三绝缘层(27)位于所述第二绝缘层(26)、第四电极(254)、所述第一绝缘层(24)以及第三电极(253)的上方，其中：所述第二绝缘层(26)用于分隔作为电容器(2b)两个电极的第二电极(252)和第四电极(254)；所述第三绝缘层(27)用于分隔氧化物半导体薄膜晶体管(2c)中的第三电极(253)和半导体氧化物沟道(28)。
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