[发明专利]半导体器件

摘要

半导体器件可以包括：在第一方向上彼此间隔开的成对的有源图案；在交叉第一方向的第二方向上交叉所述成对的有源图案的成对栅电极；在成对的有源图案的侧壁上的栅间隔物；在成对的栅电极之间位于成对的有源图案上的源极/漏极区；在成对的栅电极之间以及在成对的有源图案之间的间隔物保护图案。间隔物保护图案可以共同连接到栅间隔物。

主权项

一种半导体器件，包括：从基板突出的第一有源图案和第二有源图案，所述第一有源图案和所述第二有源图案在第一方向上彼此间隔开；交叉所述第一有源图案和所述第二有源图案的第一栅电极和第二栅电极，所述第一栅电极和所述第二栅电极在交叉所述第一方向的第二方向上彼此间隔开；在所述第一栅电极的侧壁上的第一栅间隔物和在所述第二栅电极的侧壁上的第二栅间隔物；第一源极/漏极区和第二源极/漏极区，在所述第一栅电极和所述第二栅电极之间分别在所述第一有源图案和所述第二有源图案上，所述第一源极/漏极区和所述第二源极/漏极区在所述第一方向上彼此相邻；以及在所述第一有源图案和所述第二有源图案之间以及所述第一栅电极和所述第二栅电极之间的间隔物保护图案，所述间隔物保护图案共同连接到所述第一间隔物和所述第二间隔物并且共同接触所述第一源极/漏极区和所述第二源极/漏极区。