[发明专利]一种类金刚石薄膜的制备方法

摘要

本发明提供在类金刚石材料上，利用等离子体增强化学气相沉积法制备方式，在类金刚石表面进行镀膜。利用利用双放电腔微波‑ECR等离子体全方位注入设备，采用PECVD技术制备的DLC薄膜能够达到对薄膜表面改性的目的。PECVD复合技术制备的Si/SiC/DLC梯度薄膜表面光滑致密，缺陷少，由尺寸均匀的纳米颗粒组成。薄膜的RMS粗糙度较低，在1.5nm左右变化。利用表面轮廓仪测得梯度薄膜的厚度约为1.2±0.1μm，Si，SiC过渡层厚度大约分别为：80±10nm，100±10nm，150±10nm，200±10nm。

主权项

一种类金刚石薄膜的制备方法，其特征在于使用了一种新型系统，双放电腔微波‑ECR等离子体全方位注入装置，同时应用了电子回旋共振和全方位离子注入技术，在低工作气压下实现了较高的等离子体密度，微波ECR全方位离子注入系统抽真空部分由机械泵和分子泵组成，最低气压可以抽到10^‑4Pa，本发明真空抽到4.0×10^‑3Pa，等离子产生是根据电子回旋共振原理设计的，主真空室为圆柱形腔体，两个ECR谐振腔相对的分别安置在主真空室两侧，微波系统是有频率为2.45 GHz的微波发生器、环形器、双向耦合器、三销钉调配器以及波导管所组成，如果线圈通有电流时能产生875 G的磁场，并且此时微波频率与电子在磁场中的回旋频率相等，便可以产生电子回旋共振进而产生等离子体，进而运用等离子体增强化学气相沉积法制备类合金薄膜。