[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

半导体器件包括位于衬底上面并且在第一方向上延伸的多条下部导线、位于多条下部导线上面的绝缘层、位于绝缘层和多条下部导线上面并且在与第一方向相交的第二方向上延伸的多条上部导线以及在绝缘层中形成的用导线材料填充的多个通孔。多条上部导线在第一方向上布置为具有第一间距。多个通孔包括第一通孔和第二通孔。第一通孔的至少一个通孔连接多条下部导线的至少两条线和多条上部导线的一条线。第一通孔的第一方向上的平均宽度与第二通孔的第一方向上的平均宽度不同。本发明的实施例还涉及半导体器件的制造方法。

主权项

1.一种用于制造半导体器件的方法，包括：/n在半导体衬底上方形成在第一方向上延伸的多条下部导线；/n在所述多条下部导线上面形成绝缘层；/n通过在所述绝缘层中形成第一开口并且用导电材料填充所述第一开口来形成多个第一通孔；/n通过在所述绝缘层中形成第二开口并且用导电材料填充所述第二开口来形成多个第二通孔；/n形成在与所述第一方向相交的第二方向上延伸的并且连接至所述多个第一通孔的多条第一上部导线；以及/n形成在所述第二方向上延伸的并且连接至所述多个第二通孔的多条第二上部导线，其中：/n通过单独的图案化操作实施形成所述多个第一通孔和形成所述多个第二通孔，/n在形成所述第一开口以及形成所述第二开口的至少一个中，所述多条下部导线的两条线的至少部分暴露于至少一个开口中，从而使得至少一个通孔连接所述多条下部导线的至少两条线以及所述多条第一上部导线或所述多条第二上部导线的一条线，/n所述多条第一上部导线和所述多条第二上部导线在所述第一方向上交替地布置为具有第一间距，以及/n所述多个第一通孔在所述第一方向上设置为具有第二间距，所述第二间距是所述第一间距的两倍，/n其中，填充所述第一开口的导电材料的位于所述多条下部导线的邻近的两条线之间的最下部分比所述邻近的两条线的最上部分更接近所述半导体衬底。/n